METHOD OF MANUFACTURING MASK BLANKS MASK BLANKS AND PHOTOMASK

본 발명의 마스크 블랭크스는, 위상 시프트 마스크가 되는 층을 갖는다. 상기 마스크 블랭크스는, 투명 기판에 적층된 위상 시프트능을 가지며 크롬을 함유하는 마스크층을 갖는다. 상기 마스크층은 산소 및 질소를 함유한다. 상기 마스크층의 상기 투명 기판으로부터 이간되는 측의 표면에서 질소에 대한 산소의 조성비 O／N은, 20 이상이 된다. The invention relates to a manufacturing method of a mask blank, the mask blank and a photomask. This mask blan...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	SEKINE MASAHIRO, SHIOZAKI EIJI, YAMADA SHINGO, MOCHIZUKI SATORU, HIGASHI SAYURI, MORIYAMA KUMIKO
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY CINEMATOGRAPHY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ELECTROGRAPHY HOLOGRAPHY INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL MATERIALS THEREFOR METALLURGY ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
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Beschreibung
Zusammenfassung:	본 발명의 마스크 블랭크스는, 위상 시프트 마스크가 되는 층을 갖는다. 상기 마스크 블랭크스는, 투명 기판에 적층된 위상 시프트능을 가지며 크롬을 함유하는 마스크층을 갖는다. 상기 마스크층은 산소 및 질소를 함유한다. 상기 마스크층의 상기 투명 기판으로부터 이간되는 측의 표면에서 질소에 대한 산소의 조성비 O／N은, 20 이상이 된다. The invention relates to a manufacturing method of a mask blank, the mask blank and a photomask. This mask blank has a layer that serves as a phase shift mask. The mask blank has a mask layer that is laminated on a transparent substrate, has phase shift ability, and contains chromium. The mask layer contains oxygen and nitrogen. The composition ratio (O/N) of oxygen to nitrogen on the surface of the mask layer on the side away from the transparent substrate is 20 or more.