Mask for Stitch Exposure and Stitch Exposure Method and Large-scaled Optical Sheet Using the Same

분할 노광 마스크는 투명 기판, 투명 기판의 중앙 영역에 형성되는 정규 패턴, 투명 기판의 제1 가장자리 영역에서 정규 패턴과 이격되어 정규 패턴의 외측에 형성되는 이격 패턴, 투명 기판에서 제1 가장자리와 대향하는 제2 가장자리 영역에서 정규 패턴보다 큰 면적으로 형성되는 보상 패턴, 투명 기판의 제2 가장자리 영역에서 보상 패턴과 연결하여 보상 패턴의 외측에 형성되는 연결 패턴을 포함한다....

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	LEE JUNGU, NOH SUNG JIN, PARK KI JOON, LEE CHEOL HUN
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR CINEMATOGRAPHY ELECTROGRAPHY HOLOGRAPHY MATERIALS THEREFOR ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS
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Beschreibung
Zusammenfassung:	분할 노광 마스크는 투명 기판, 투명 기판의 중앙 영역에 형성되는 정규 패턴, 투명 기판의 제1 가장자리 영역에서 정규 패턴과 이격되어 정규 패턴의 외측에 형성되는 이격 패턴, 투명 기판에서 제1 가장자리와 대향하는 제2 가장자리 영역에서 정규 패턴보다 큰 면적으로 형성되는 보상 패턴, 투명 기판의 제2 가장자리 영역에서 보상 패턴과 연결하여 보상 패턴의 외측에 형성되는 연결 패턴을 포함한다.