이중층 포토레지스트 기반의 포토리소그래피 방법

본 발명은 이중층 포토레지스트 기반의 포토리소그래피 방법에 관한 것으로, 이 방법은, (1) 기판에 한 층의 포지티브 포토레지스트를 도말하여 건조시키고, 다시 포지티브 포토레지스트에 한 층의 네거티브 포토레지스트를 도말하여 건조시키는 단계; (2) 노광원 하에서, 템플릿 패턴의 포토리소그래피 마스크를 사용하거나 집속 직접 기록을 통해, 두 층의 포토레지스트를 노광시킨 후, 건조시키는 단계; (3) 네거티브 레지스트 현상액을 사용하여 네거티브 포토레지스트를 현상하는 단계; (4) 포지티브 레지스트 현상액을 사용하여 포지티브 포토레지스...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	GAO YIJIAO
Format:	Patent
Sprache:	kor
Schlagworte:	APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR BASIC ELECTRIC ELEMENTS CINEMATOGRAPHY ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY ELECTROGRAPHY HOLOGRAPHY MATERIALS THEREFOR ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS SEMICONDUCTOR DEVICES
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