이중층 포토레지스트 기반의 포토리소그래피 방법

본 발명은 이중층 포토레지스트 기반의 포토리소그래피 방법에 관한 것으로, 이 방법은, (1) 기판에 한 층의 포지티브 포토레지스트를 도말하여 건조시키고, 다시 포지티브 포토레지스트에 한 층의 네거티브 포토레지스트를 도말하여 건조시키는 단계; (2) 노광원 하에서, 템플릿 패턴의 포토리소그래피 마스크를 사용하거나 집속 직접 기록을 통해, 두 층의 포토레지스트를 노광시킨 후, 건조시키는 단계; (3) 네거티브 레지스트 현상액을 사용하여 네거티브 포토레지스트를 현상하는 단계; (4) 포지티브 레지스트 현상액을 사용하여 포지티브 포토레지스트에 대해 제어 가능한 현상을 수행하는 단계; (5) 재료 증착 기술 또는 에칭 기술을 통해, 기판 재료에 패턴을 형성하는 단계; 및 (6) 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함한다. 종래의 단일 노광 포토리소그래피 기술에 비해, 본 발명은 방법이 간단하고, 패턴 윤곽화를 통해, 종래 기술보다 더 높고 더 작은 라인 폭을 구현하므로, 이 방법은 반도체 공정에 널리 사용될 수 있고, 광범위한 연구 및 응용 가치를 갖는다. The present invention pertains to a photolithography method based on bilayer photoresist, the method comprising the following steps: (1) applying one layer of positive photoresist on a substrate and drying, then applying one layer of negative photoresist on the positive photoresist and drying; (2) exposing the two layers of photoresist using a photolithography mask with mask patterns or through focused direct write under a source of exposure, and then drying; (3) developing, with developer for negative photoresist, the negative photoresist; (4) controllably developing, with developer for positive photoresist, the positive photoresist; (5) forming patterns on the material of the substrate through material deposition technology or etching technology; (6) removing the photoresist. Compared with existing single-exposure photolithography technology, the method of the present invention is simple and a line width smaller than that of the conventional technology can be achieved by pattern contouring. The method can be widely used in semiconductor process and has extensive values of research and application.