ANAB USING ANAB TECHNOLOGY TO REMOVE PRODUCTION PROCESSING RESIDUALS FROM GRAPHENE

그래핀 제품으로부터 오염 물질을 제거하는 방법은 제품의 결정 격자 및 형태를 파괴하지 않고 제품의 오염 물질을 제거하기 위해 가속 중성원자 빔을 사용하여, 반도체 등의 고순도 요구 용도에 예시된 것과 같은 고순도 장치/시스템에 사용할 수 있게 한다. A method for removing contaminants from a graphene product uses an accelerated neutral atom beam to remove product contaminants without disruption of the produc...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	SEAN R. KIRKPATRICK, SON T. CHAU
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOIDCHEMISTRY CHEMISTRY COMPOUNDS THEREOF INORGANIC CHEMISTRY METALLURGY NON-METALLIC ELEMENTS PERFORMING OPERATIONS PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL THEIR RELEVANT APPARATUS TRANSPORTING
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Beschreibung
Zusammenfassung:	그래핀 제품으로부터 오염 물질을 제거하는 방법은 제품의 결정 격자 및 형태를 파괴하지 않고 제품의 오염 물질을 제거하기 위해 가속 중성원자 빔을 사용하여, 반도체 등의 고순도 요구 용도에 예시된 것과 같은 고순도 장치/시스템에 사용할 수 있게 한다. A method for removing contaminants from a graphene product uses an accelerated neutral atom beam to remove product contaminants without disruption of the product's crystalline lattice and morphology to enable usage in high purity devices/systems such as exemplified in semi-conductor and like high purity needs applications.