Image sensor and electronic apparatus including the image sensor

이미지 센서는 이차원 배열된 복수의 화소를 구비하는 화소 어레이를 포함할 수 있다. 각각의 화소는, 제1 파장 대역의 광을 선택적으로 흡수하는 제1 메타 포토다이오드; 상기 제1 파장 대역과 상이한 제2 파장 대역의 광을 선택적으로 흡수하는 제2 메타 포토다이오드; 및 상기 제1 파장 대역 및 제2 파장 대역과 상이한 제3 파장 대역의 광을 선택적으로 흡수하는 제3 메타 포토다이오드;를 포함하며, 상기 제1 메타 포토다이오드, 제2 메타 포토다이오드 및 제3 메타 포토다이오드는 회절 한계 이하의 크기를 갖는 면적 내에 배열될 수 있다. 또한, 상기 화소 어레이의 중심부에서 상기 복수의 화소 내에 배열된 상기 제1 메타 포토다이오드, 제2 메타 포토다이오드 및 제3 메타 포토다이오드들의 배열 형태가 상기 화소 어레이의 주변부에서 상기 복수의 화소 내에 배열된 상기 제1 메타 포토다이오드, 제2 메타 포토다이오드 및 제3 메타 포토다이오드들의 배열 형태와 동일할 수 있다. An image sensor may include a pixel array including a plurality of two-dimensionally arranged pixels. Each pixel may include a first meta-photodiode absorbing light of a first wavelength band; a second meta-photodiode absorbing light in a second wavelength band; and a third meta-photodiode absorbing light of a third wavelength band, wherein the first meta-photodiode, the second meta-photodiode, and the third meta-photodiode may be arranged in an area having a size less than a diffraction limit. The arrangement form of the first meta-photodiode, the second meta-photodiode, and the third meta-photodiode arranged in the plurality of pixels in a central portion of the pixel array may be the same as the arrangement form of the first meta-photodiode, the second meta-photodiode, and the third meta-photodiode arranged in the plurality of pixels in a periphery of the pixel array.