하부 전극 기구, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

플라스마 처리에 사용되는 하부 전극 기구로서, 상기 플라스마 처리 시에 고주파 전력이 인가되는 기대부와, 상기 기대부의 상면에 배치되는 유전체부와, 유도 가열 기구를 갖고, 상기 유도 가열 기구는, 유도 자계에 의해 가열되는 유도 발열체와, 상기 기대부의 내부에 마련되고, 상기 유도 자계를 발생시키는 자계 발생부를 구비한다. There is provided a lower electrode mechanism for plasma processing, the lower electrode mechanism including: a base...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	OHATA MITSUNORI, MATSUMOTO NAOKI, MASUYAMA MASATAKA, MIHARA NAOKI
Format:	Patent
Sprache:	kor
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY SEMICONDUCTOR DEVICES SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
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Beschreibung
Zusammenfassung:	플라스마 처리에 사용되는 하부 전극 기구로서, 상기 플라스마 처리 시에 고주파 전력이 인가되는 기대부와, 상기 기대부의 상면에 배치되는 유전체부와, 유도 가열 기구를 갖고, 상기 유도 가열 기구는, 유도 자계에 의해 가열되는 유도 발열체와, 상기 기대부의 내부에 마련되고, 상기 유도 자계를 발생시키는 자계 발생부를 구비한다. There is provided a lower electrode mechanism for plasma processing, the lower electrode mechanism including: a base portion to which radio-frequency power is applied during the plasma processing; a dielectric portion disposed at an upper surface of the base portion; and an induction heating mechanism, in which the induction heating mechanism includes an induction heating element heated by an induction magnetic field, and a magnetic field generator that is disposed inside the base portion and generates the induction magnetic field.