전기 음향 디바이스들의 커패시터 처리를 위한 에칭 정지 및 보호층

용량성 엘리먼트(504)를 갖는 전기 음향 디바이스들(502) 및 그러한 전기 음향 디바이스들을 제조하기 위한 방법들이 제공된다. 일 예의 방법은 기판의 제1 구역(506b) 위에 음향 디바이스(502)를 형성하는 단계, 및 기판의 제2 구역(506a) 위에 그리고 음향 디바이스에 인접하게 용량성 엘리먼트(504)를 형성하는 단계를 포함한다. 용량성 엘리먼트를 형성하는 단계는 기판 위에 보호층(510)을 형성하는 단계 - 보호층의 제1 부분은 기판의 제2 구역 위에 있고, 보호층의 제2 부분은 기판의 제1 구역 위에 있음 -, 보호...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: POHLNER STEPHAN, LUKASHOV ILYA, JUNGKUNZ MATTHIAS, EGGS CHRISTOPH, ESQUIUS MOROTE MARC, FREISLEBEN STEFAN, TELGMANN THOMAS, GIESEN MARCEL
Format: Patent
Sprache:kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:용량성 엘리먼트(504)를 갖는 전기 음향 디바이스들(502) 및 그러한 전기 음향 디바이스들을 제조하기 위한 방법들이 제공된다. 일 예의 방법은 기판의 제1 구역(506b) 위에 음향 디바이스(502)를 형성하는 단계, 및 기판의 제2 구역(506a) 위에 그리고 음향 디바이스에 인접하게 용량성 엘리먼트(504)를 형성하는 단계를 포함한다. 용량성 엘리먼트를 형성하는 단계는 기판 위에 보호층(510)을 형성하는 단계 - 보호층의 제1 부분은 기판의 제2 구역 위에 있고, 보호층의 제2 부분은 기판의 제1 구역 위에 있음 -, 보호층 위에 유전체 구역(512)을 형성하는 단계 및 유전체 구역 위에 전극(514)을 형성하는 단계를 포함한다. 유전체 구역(512)은 보호층(510)과는 상이한 재료를 포함할 수 있다. Electroacoustic devices with a capacitive element and methods for fabricating such electroacoustic devices. An example method includes forming an acoustic device above a first region of a substrate, and forming a capacitive element above a second region of the substrate and adjacent to the acoustic device. The forming of the capacitive element may include forming a protective layer above the substrate where a first portion of the protective layer is above the second region of the substrate and a second portion of the protective layer is above the first region of the substrate, forming a dielectric region above the protective layer, and forming an electrode above the dielectric region. The dielectric region may include a different material than the protective layer.