IMAGING ELLIPSOMETER AND METHOD OF MEASURING AN OVERLAY ERROR USING THE SAME
정렬 오차 측정 방법에 있어서, 표면에서의 편광 투과도를 알고 있는 기준 웨이퍼 표면에 광을 입사시킨다. 편광기 각도와 분석기 각도의 제1 조합에 따른 각도 세트에서 상기 기준 웨이퍼로부터 이미지 신호를 획득한다. 상기 기준 웨이퍼의 이미지 신호로부터 편광기 및 분석기를 포함한 광학 설비의 편광 투과도를 산출한다. 측정하고자 하는 구조물이 형성된 측정대상 웨이퍼 표면에 광을 입사시킨다. 상기 편광기 각도와 상기 분석기 각도의 제2 조합에 따른 각도 세트에서 상기 측정대상 웨이퍼로부터 이미지 신호를 획득한다. 상기 측정대상 웨이퍼의...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | 정렬 오차 측정 방법에 있어서, 표면에서의 편광 투과도를 알고 있는 기준 웨이퍼 표면에 광을 입사시킨다. 편광기 각도와 분석기 각도의 제1 조합에 따른 각도 세트에서 상기 기준 웨이퍼로부터 이미지 신호를 획득한다. 상기 기준 웨이퍼의 이미지 신호로부터 편광기 및 분석기를 포함한 광학 설비의 편광 투과도를 산출한다. 측정하고자 하는 구조물이 형성된 측정대상 웨이퍼 표면에 광을 입사시킨다. 상기 편광기 각도와 상기 분석기 각도의 제2 조합에 따른 각도 세트에서 상기 측정대상 웨이퍼로부터 이미지 신호를 획득한다. 상기 측정대상 웨이퍼의 이미지 신호로부터 적어도 일부의 뮬러 행렬을 생성한다.
In a method of measuring an alignment error, light is incident on a surface of a reference wafer having a known polarization transmittance at the surface. An image signal is obtained from the reference wafer at a set of angles including a first combination of values of a polarizer angle and an analyzer angle. Polarization transmittance of optical equipment including a polarizer and an analyzer is calculated from the image signal of the reference wafer. Light is incident on a surface of a measurement target wafer having a structure on the surface thereof. An image signal is obtained from the measurement wafer at a set of angles including a second combination of values of the polarizer angle and the analyzer angle. At least a portion of Mueller matrix is generated from the image signal of the measurement wafer. |
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