FILM DEPOSITION DEVICE

Provided is a film deposition device capable of depositing a film while effectively heating a work. The film deposition device (1) according to an embodiment comprises: a chamber (20) capable of evacuating an interior thereof; a rotating table (31) provided in the chamber (20), retaining and supporting a plurality of works (10), and circulating and conveying the same to a trajectory of a circular path; a film depositing part (40) having a plasma generator plasmaizing sputter gas (G1) brought in between a target (42) made of film deposition materials and the rotating table (31), and forming a layer by depositing film material particles through sputtering onto the work (10), which is being circulated and conveyed by the rotating table (31); a film processing part (50) processing a film deposited by the film depositing part (40) onto the work (10) which is being circulated and conveyed by the rotating table (31); a plurality of retaining supporting areas (HA) which are areas other than a rotating shaft (311) in the rotating table (31), are provided in a toroidal sputtering area (FA) facing the film deposition part (40) and the film processing part (50), and retain and support each work (10); and a heating part (34) arranged in the plurality of retaining supporting areas (HA). 워크를 효율적으로 가열하면서 성막할 수 있는 성막 장치를 제공한다. 실시 형태에 따른 성막 장치(1)는, 내부를 진공으로 하는 것이 가능한 챔버(20)와, 챔버(20) 내에 마련되고, 복수의 워크(10)를 보유 지지하고, 원주의 궤적으로 순환 반송하는 회전 테이블(31)과, 성막 재료로 이루어지는 타깃(42)과 회전 테이블(31) 사이에 도입되는 스퍼터 가스(G1)를 플라스마화하는 플라스마 발생기를 갖고, 회전 테이블(31)에 의해 순환 반송 중의 워크(10)에, 스퍼터링에 의해 성막 재료의 입자를 퇴적시켜서 성막하는 성막부(40)와, 회전 테이블(31)에 의해 순환 반송 중의 워크(10)에, 성막부(40)에 의해 퇴적된 막을 처리하는 막 처리부(50)와, 회전 테이블(31)에 있어서, 회전축(311) 이외의 영역이며, 성막부(40) 및 막 처리부(50)에 대향하는 원환상의 성막 영역(FA)에 마련되고, 개개의 워크(10)가 보유 지지되는 복수의 보유 지지 영역(HA)과, 복수의 보유 지지 영역(HA)에 배치된 가열부(34)를 갖는다.