Blankmask and Photomask for EUV lithography

EUV 리소그래피용 블랭크마스크는 기판 상에 형성된 반사막 및 반사막 상에 형성된 위상반전막을 구비한다. 위상반전막은 EUV 노광광에 대하여 소멸계수(k)가 0.03 이상인 제1물질 및 굴절률(n)이 0.93 이하인 제2물질을 포함한다. 제1물질은 소멸계수(k)가 0.05 이상인 제1-1물질 및 소멸계수(k)가 0.03 이상인 제1-2물질을 포함한다. 제1-1물질은 Te 및 Sb 중 하나 이상, 제1-2물질은 Ta 및 Cr 중 하나 이상으로 구성될 수 있다. 제2물질은 굴절률(n)이 0.93 이하인 제2-1물질 및 굴절률(n)이 0...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	KIM YONG DAE, PARK MIN KWANG, YANG CHUL KYU, WOO MI KYUNG, SEO GYEONG WON
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR CINEMATOGRAPHY ELECTROGRAPHY HOLOGRAPHY MATERIALS THEREFOR ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS
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Beschreibung
Zusammenfassung:	EUV 리소그래피용 블랭크마스크는 기판 상에 형성된 반사막 및 반사막 상에 형성된 위상반전막을 구비한다. 위상반전막은 EUV 노광광에 대하여 소멸계수(k)가 0.03 이상인 제1물질 및 굴절률(n)이 0.93 이하인 제2물질을 포함한다. 제1물질은 소멸계수(k)가 0.05 이상인 제1-1물질 및 소멸계수(k)가 0.03 이상인 제1-2물질을 포함한다. 제1-1물질은 Te 및 Sb 중 하나 이상, 제1-2물질은 Ta 및 Cr 중 하나 이상으로 구성될 수 있다. 제2물질은 굴절률(n)이 0.93 이하인 제2-1물질 및 굴절률(n)이 0.96 이하인 제2-2물질을 포함하여 구성될 수 있다. 블랭크마스크는 5nm급 이하, 특히 3nm급에 적용 가능하다. 최종 형성된 위상반전막 패턴의 두께가 50nm 이하로 박막화되어 3D Effect 및 MEEF 를 감소시킬 수 있고 NILS 가 높다.