플라스마 처리 방법
본 발명의 과제는, 단순한 프로세스로, 또한 패턴 표면의 불순물 오염을 억제하면서 측벽 보호막의 형성과 제거 공정을 실시하고, 보잉 형성 등을 억제하여 원하는 단면 형상으로 루테늄 패턴을 가공하는 것이 가능한 기술을 제공하는 것이다. 이러한 과제를 해결하기 위한 수단으로서, 플라스마에 의해 루테늄막을 에칭하는 플라스마 처리 방법에 있어서, 산소 가스와 할로겐 가스의 혼합 가스를 사용해서 생성된 플라스마에 의해 상기 루테늄막을 에칭하는 제1 공정과, 상기 제1 공정 후, 할로겐 가스를 사용해서 생성된 플라스마에 의해 생성된 라디칼에...
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| Format: | Patent |
| Sprache: | kor |
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| Zusammenfassung: | 본 발명의 과제는, 단순한 프로세스로, 또한 패턴 표면의 불순물 오염을 억제하면서 측벽 보호막의 형성과 제거 공정을 실시하고, 보잉 형성 등을 억제하여 원하는 단면 형상으로 루테늄 패턴을 가공하는 것이 가능한 기술을 제공하는 것이다. 이러한 과제를 해결하기 위한 수단으로서, 플라스마에 의해 루테늄막을 에칭하는 플라스마 처리 방법에 있어서, 산소 가스와 할로겐 가스의 혼합 가스를 사용해서 생성된 플라스마에 의해 상기 루테늄막을 에칭하는 제1 공정과, 상기 제1 공정 후, 할로겐 가스를 사용해서 생성된 플라스마에 의해 생성된 라디칼에 의해, 에칭된 루테늄막의 측벽에 루테늄 화합물을 형성하는 제2 공정과, 상기 제2 공정 후, 산소 가스와 할로겐 가스의 혼합 가스를 사용해서 생성된 플라스마에 의해 루테늄막을 에칭하는 제3 공정과, 상기 제3 공정 후, 산소 가스와 할로겐 가스의 혼합 가스를 사용해서 생성된 플라스마에 의해 생성된 산소 라디칼 및 할로겐 라디칼에 의해, 에칭된 루테늄막의 측벽을 에칭하는 제4 공정을 갖는다. 에칭된 루테늄막의 깊이가 소정의 깊이가 될 때까지 상기 제2 공정 내지 상기 제4 공정을 반복하는, 플라스마 처리 방법의 기술이 제공된다.
The present invention provides a technology which is capable of processing a ruthenium pattern so that the ruthenium pattern has a desired cross-sectional shape by performing a step for forming and removing a side wall protection film by a simple process, while suppressing pattern surface contamination with impurities, and suppressing the formation of bowing or the like. The present invention provides a plasma processing method for etching a ruthenium film by means of a plasma, the plasma processing method comprising: a first step in which the ruthenium film is etched by means of a plasma that is generated using a mixed gas of an oxygen gas and a halogen gas; a second step in which a ruthenium compound is formed on the side wall of the etched ruthenium film, after the first step, by means of radicals that are generated by a plasma which is generated using a halogen gas; a third step in which the ruthenium film is etched, after the second step, by means of a plasma that is generated using a mixed gas of an oxygen gas and a halogen gas; and a fourth step in which the side wall of the etched ruthenium film is etched, after the third step, by means of oxygen radicals and halogen radicals, which are generated by a plasma that is generated using a mixed gas of an oxygen gas and a halogen gas. The present invention provides a plasma processing technology wherein the second step to the fourth step are repeated until the depth of the etched ruthenium film reaches a predetermined depth. |
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