Semiconductor device and method for fabricating thereof

Provided is a semiconductor device capable of improving device performance and reliability. A semiconductor device includes a lower pattern which is extended in a first direction, a first blocking structure which is arranged on the lower pattern and includes at least one first blocking layer, wherein the first blocking layer includes a first blocking structure which is an oxygen-doped crystalline silicon layer, a source/drain pattern disposed on the first blocking structure, and a gate structure which is extended in a second direction on a lower pattern and includes a gate electrode and a gate insulation layer. 소자 성능 및 신뢰성을 개선할 수 있는 반도체 장치를 제공하는 것이다. 반도체 장치는 제1 방향으로 연장된 하부 패턴, 하부 패턴 상에 배치되고, 적어도 하나 이상의 제1 블로킹막을 포함하는 제1 블로킹 구조체로, 제1 블로킹막은 산소가 도핑된(oxygen-doped) 결정질 실리콘막인 제1 블로킹 구조체, 제1 블로킹 구조체 상에 배치된 소오스/드레인 패턴, 및 하부 패턴 상에 제2 방향으로 연장되고, 게이트 전극 및 게이트 절연막을 포함하는 게이트 구조체를 포함한다.