FILM FORMING METHOD AND FILM FORMING APPARATUS

양호한 단차 피복성과 높은 생산성을 양립할 수 있는 기술을 제공한다. 본 개시의 일 양태에 의한 성막 방법은, (a) 오목부를 표면에 갖는 기판을 준비하는 공정과, (b) 상기 표면에 유기계 원료 가스를 공급하여, 상기 오목부에 상기 유기계 원료 가스를 흡착시키는 공정과, (c) 상기 표면에 산소 함유 가스를 공급하여, 상기 오목부에 흡착된 상기 유기계 원료 가스를 산화시키는 공정과, (d) 상기 공정 (c) 이후에, 상기 표면에 탈수제를 포함하는 제1 가스를 공급하는 공정을 갖는다. A deposition method includ...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	MATSUBARA AKIRA, OTANI MUNEYUKI
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
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Beschreibung
Zusammenfassung:	양호한 단차 피복성과 높은 생산성을 양립할 수 있는 기술을 제공한다. 본 개시의 일 양태에 의한 성막 방법은, (a) 오목부를 표면에 갖는 기판을 준비하는 공정과, (b) 상기 표면에 유기계 원료 가스를 공급하여, 상기 오목부에 상기 유기계 원료 가스를 흡착시키는 공정과, (c) 상기 표면에 산소 함유 가스를 공급하여, 상기 오목부에 흡착된 상기 유기계 원료 가스를 산화시키는 공정과, (d) 상기 공정 (c) 이후에, 상기 표면에 탈수제를 포함하는 제1 가스를 공급하는 공정을 갖는다. A deposition method includes: (a) preparing a substrate with a recess on a surface thereof; (b) supplying an organic raw material gas to the surface to adsorb the organic raw material gas to the recess; (c) supplying an oxygen-containing gas to the surface to oxidize the organic raw material gas adsorbed to the recess; and (d) after the (c), supplying a first gas containing a dehydrating agent to the surface.