MODULAR SEMICONDUCTOR DEVICES AND ELECTRONIC DEVICES INCORPORATING THE SAME

A modular semiconductor device comprises: an encapsulation agent layer which has an encapsulation agent lower surface and an encapsulation agent upper surface, wherein an encapsulation agent layer comprises a component area and an interlayer connection area; a semiconductor component placed inside the component area, which comprises a component conductive pattern exposed from the encapsulation agent lower surface; an interlayer connection area placed inside the interlayer connection area which comprises one or more conductive vias extended between the encapsulation agent lower surface and the encapsulation agent upper surface, respectively; and an interposer layer which is laminated on the encapsulation agent layer and has an interposer lower surface and an interposer upper surface. The interposer upper surface is in contact with the encapsulation agent lower surface. The interposer layer includes an interposer conductive pattern on the interposer lower surface, and an interposer interconnection structure which is electrically connected to the component conductive pattern, the interposer conductive pattern, and the one or more conductive vias. The purpose of the present invention is to provide a semiconductor device with reduced layout occupation of a substrate for a semiconductor device. 모듈형 반도체 디바이스는: 캡슐화제 하단 표면 및 캡슐화제 상단 표면을 갖는 캡슐화제 층 - 캡슐화제 층은 컴포넌트 영역 및 층간 연결 영역을 포함함 - ; 컴포넌트 영역 내에 배치된 반도체 컴포넌트 - 반도체 컴포넌트는 캡슐화제 하단 표면으로부터 노출된 컴포넌트 전도성 패턴을 포함함 - ; 층간 연결 영역 내에 배치된 층간 연결 어레이 - 층간 연결 어레이는 캡슐화제 하단 표면과 캡슐화제 상단 표면 사이에 각각 연장되는 하나 이상의 전도성 비아를 포함함 - ; 및 캡슐화제 층 상에 라미네이트되고 인터포저 하단 표면 및 인터포저 상단 표면을 갖는 인터포저 층을 포함하고, 인터포저 상단 표면은 캡슐화제 하단 표면과 접촉하고; 인터포저 층은 인터포저 하단 표면 상의 인터포저 전도성 패턴, 및 컴포넌트 전도성 패턴, 인터포저 전도성 패턴 및 하나 이상의 전도성 비아에 전기적으로 연결되는 인터포저 상호연결 구조물을 포함한다.