IMAGE SENSING DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

이미지 센싱 장치 및 그 제조방법에 관한 기술이다. 본 실시예의 이미지 센싱 장치는 수광 영역 및 상기 수광 영역과 인접한 적어도 하나의 활성 영역이 한정된 기판; 상기 수광 영역에 해당하는 상기 기판 상에 형성된 제 1 게이트; 상기 제 1 게이트 일측의 상기 수광 영역에 형성되는 광전 변환 소자; 상기 제 1 게이트 타측의 상기 기판상에 제 1 높이 만큼 융기된 제 1 반도체 패턴; 상기 제 1 반도체 패턴에 형성된 플로팅 디퓨젼(floating diffusion); 상기 활성 영역에 해당되는 상기 기판상에 제 2 높이 만큼 융기된 형태로 형성되는 제 2 반도체 패턴; 및 상기 활성 영역에 해당되는 상기 기판상에 상기 제 2 패턴을 덮도록 형성되는 제 2 게이트를 포함할 수 있다. An image sensing device may include a substrate, a first gate, a photoelectric converter, a first semiconductor pattern including a floating diffusion, a second semiconductor pattern and a second gate. The substrate includes a light-receiving region and at least one active region. The first gate is arranged over the light-receiving region. The photoelectric converter is formed in the light-receiving region such that a first end of the first gate is disposed over the photoelectric converter. The first semiconductor pattern is formed over the substrate at a second end of the first gate. The first semiconductor pattern has a first height. The second semiconductor pattern is formed over the active region of the substrate. The second semiconductor pattern has a second height. The second gate is formed over the active region of the substrate to cover the second semiconductor pattern.