SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MAKING THE SAME

반도체 디바이스 및 그 형성 방법이 제공된다. 이 방법은: 기판을 제공하는 것; 제1 다이 표면 및 제1 다이 표면에 대향하는 제2 다이 표면을 갖는 반도체 다이를 제공하는 것; 솔더를 포함하는 상호접속 구조를 통해 제1 다이 표면을 기판에 부착하는 것; 및 제2 다이 표면을 레이저 빔으로 조사하는 것을 포함하고, 레이저 빔은 반도체 다이를 통과하고 상호접속 구조의 솔더를 리플로우한다. 방법에서, 솔더 범프들을 리플로우하기 위해 레이저 보조 본딩(laser-assisted bonding))이 사용될 수 있고, 레이저 보조 본딩 후에 열 계면 재료가 형성될 수 있다. A semiconductor device and a method for forming the same are provided. The method includes: providing a substrate; providing a semiconductor die having a first die surface and a second die surface opposite to the first die surface; attaching the first die surface to the substrate via an interconnect structure comprising solder; and irradiating the second die surface with a laser beam, wherein the laser beam passes through the semiconductor die and reflows the solder of the interconnect structure. In the method, laser-assisted bonding can is used to reflow solder bumps, and thermal interface material can be formed after the laser-assisted bonding.