Semiconductor device

본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 기판의 제1 PMOSFET 영역 상의 제1 활성 패턴 및 제2 PMOSFET 영역 상의 제2 활성 패턴; 상기 제1 활성 패턴 상의 제1 채널 패턴, 상기 제1 채널 패턴은 서로 이격되어 적층된 제1 반도체 패턴들을 포함하고; 상기 제2 활성 패턴 상의 제2 채널 패턴, 상기 제2 채널 패턴은 서로 이격되어 적층된 제2 반도체 패턴들을 포함하며; 상기 제1 채널 패턴 상의 제1 게이트 전극; 및 상기 제2 채널 패턴 상의 제2 게이트 전극을 포함한다. 상기 제1 게이트 전극의 내측 게이트 전극의 알루미늄(Al) 또는 실리콘(Si)의 제1 농도는, 상기 제2 게이트 전극의 내측 게이트 전극의 알루미늄(Al) 또는 실리콘(Si)의 제2 농도와 다르다. A semiconductor device includes first and second active patterns respectively provided on a first and second PMOSFET regions of a substrate, a first channel pattern on the first active pattern, the first channel pattern including first semiconductor patterns stacked and spaced apart from each other, a second channel pattern on the second active pattern, the second channel pattern including second semiconductor patterns stacked and spaced apart from each other, a first gate electrode on the first channel pattern, and a second gate electrode on the second channel pattern. A first concentration of aluminum (Al) or silicon (Si) in an inner gate electrode of the first gate electrode is different from a second concentration of aluminum (Al) or silicon (Si) in an inner gate electrode of the second gate electrode.