수퍼사이클 원자 층 증착에 의한 신규의 비정질 하이-K 금속 산화물 유전체들의 방법들 및 애플리케이션들

본 개시내용의 실시예들은, 기판 및 기판의 적어도 일부를 오버레이하는 비정질 산화물 막을 포함하는, 물품들 및 트랜지스터 구조물들 및 이들의 준비 및 사용의 방법들에 관한 것인데, 여기서 비정질 산화물 막은 제1 산화물 및 제2 산화물을 포함한다. 제1 산화물은 지르코늄 산화물(ZrO2), 하프늄 산화물(HfO2) 또는 이들의 조합을 포함할 수 있고, 제2 산화물은 실리콘 이산화물(SiO2), 알루미늄 산화물(Al2O3), 질소 산화물(NO) 또는 이들의 조합들을 포함할 수 있다. 비정질 산화물 막은 등각적일 수 있고 약 1 % 미만의 공극률을 가질 수 있으며 약 8 내지 약 28의 유전 상수(k)를 가질 수 있다. Embodiments of the disclosure relate to articles and transistor structures and methods of preparation and use thereof, including a substrate and an amorphous oxide film overlaying at least a portion of the substrate, where the amorphous oxide film includes a first oxide and a second oxide. The first oxide can include zirconium oxide (ZrO2), hafnium oxide (HfO2) or a combination thereof, the second oxide can include silicon dioxide (SiO2), aluminum oxide (Al2O3), nitric oxide (NO) or combinations thereof. The amorphous oxide film can conformal and have a porosity of less than about 1% and may have a dielectric constant (k) of about 8 to about 28.