이온 밀링 장치

이온 밀링 장치는, 셔터(102)에 의해 이온원(101)으로부터의 이온빔이 차폐 되는 상태에서, 이온원에 대해, 애노드(203)와 캐소드(201, 202) 사이에 방전 전압(Vd) 및 애노드와 가속 전극(205) 사이에 가속 전압(Va)을 인가하고, 방전에 의해 애노드와 캐소드 사이에 흐르는 방전 전류 또는 셔터에 이온빔이 조사됨으로써 흐르는 이온빔 전류 중 어느 하나가 소정의 기준값을 하회한 후에, 셔터 구동원(103)에 의해 셔터를 이온빔이 차폐되지 않는 위치로 퇴피 가능하게 한다. In a state in which an io...

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Hauptverfasser: AIDA SHOTA, TAKASU HISAYUKI, HORINOUCHI KENTO
Format: Patent
Sprache:kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:이온 밀링 장치는, 셔터(102)에 의해 이온원(101)으로부터의 이온빔이 차폐 되는 상태에서, 이온원에 대해, 애노드(203)와 캐소드(201, 202) 사이에 방전 전압(Vd) 및 애노드와 가속 전극(205) 사이에 가속 전압(Va)을 인가하고, 방전에 의해 애노드와 캐소드 사이에 흐르는 방전 전류 또는 셔터에 이온빔이 조사됨으로써 흐르는 이온빔 전류 중 어느 하나가 소정의 기준값을 하회한 후에, 셔터 구동원(103)에 의해 셔터를 이온빔이 차폐되지 않는 위치로 퇴피 가능하게 한다. In a state in which an ion beam from an ion source 101 is shielded by a shutter 102, an ion milling apparatus applies a discharge voltage Vd between an anode 203 and cathodes 201 and 202 and an acceleration voltage Va between the anode and an acceleration electrode 205 with respect to the ion source, and retracts the shutter by a shutter drive source 103 to a position where the ion beam is not shielded after any one of a discharge current flowing between the anode and the cathodes due to discharge and an ion beam current flowing caused by irradiation on the shutter the ion beam falls below a predetermined reference value.