RESIST COMPOSITION AND METHOD OF FORMING RESIST PATTERN

식 (a0-1) 로 나타내는 구성 단위 (a0) 을 갖는 고분자 화합물과, 식 (b1) 로 나타내는 화합물로 이루어지는 산 발생제를 함유하는 레지스트 조성물 (식 중, Ra00 은, 식 (a0-r1-1) 로 나타내는 산 해리성기 ; Ra01, Ra02, Ra031, Ra032 및 Ra033 은, 탄화수소기 ; Ya0 은, 제 4 급 탄소 원자 ; Rb1 은, 적어도 1 개의 수산기를 갖는 스테로이드 골격을 갖는 탄화수소기 ; Yb1 은 단결합 또는 헤테로 원자를 포함하는 2 가의 연결기 ; Vb1 은, 단결합, 알킬렌기, 또는 불소...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	UCHIDA EMI, NAKAMURA TSUYOSHI, NAGAMINE TAKASHI
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR CINEMATOGRAPHY ELECTROGRAPHY HOLOGRAPHY MATERIALS THEREFOR ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS
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