RESIST COMPOSITION AND METHOD OF FORMING RESIST PATTERN

식 (a0-1) 로 나타내는 구성 단위 (a0) 을 갖는 고분자 화합물과, 식 (b1) 로 나타내는 화합물로 이루어지는 산 발생제를 함유하는 레지스트 조성물 (식 중, Ra00 은, 식 (a0-r1-1) 로 나타내는 산 해리성기 ; Ra01, Ra02, Ra031, Ra032 및 Ra033 은, 탄화수소기 ; Ya0 은, 제 4 급 탄소 원자 ; Rb1 은, 적어도 1 개의 수산기를 갖는 스테로이드 골격을 갖는 탄화수소기 ; Yb1 은 단결합 또는 헤테로 원자를 포함하는 2 가의 연결기 ; Vb1 은, 단결합, 알킬렌기, 또는 불소화 알킬렌기 ; Rf1 은 수소 원자, 불소 원자 또는 불소화 알킬기). [화학식 1] TIFFpat00104.tif51143 A resist composition containing a polymer compound which has a constitutional unit (a0) represented by Formula (a0-1); and an acid generator which is formed of a compound represented by Formula (b1) (in the formulae, Ra00 represents an acid dissociable group represented by Formula (a0-r1-1); Ra01, Ra02, Ra031, Ra032, and Ra033 represent a hydrocarbon group; Ya0 represents a quaternary carbon atom; Rb1 represents a hydrocarbon group which has a steroid skeleton containing at least one hydroxyl group; Yb1 represents a divalent linking group having a single bond or a hetero atom; Vb1 represents a single bond, an alkylene group, or a fluorinated alkylene group; and Rf1 represents a hydrogen atom, a fluorine atom, or a fluorinated alkyl group).