SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS

Provided is a technology that can control the amount of deuterium introduced into an insulating film. A substrate processing method according to one aspect of the present invention comprises the steps of: housing, in a processing container, a substrate having an insulating film on the surface of the substrate; exposing the insulating film to plasma generated from a gas including a deuterium gas in a state where the substrate housed in the processing container is maintained at a first temperature, to introduce deuterium into the insulating film; and heat-treating the insulating film without exposing the insulating film to the plasma in a state in which the substrate housed in the processing container is controlled to be at a second temperature that is different from the first temperature, to adjust the concentration of the deuterium introduced into the insulating film. 절연막 중으로의 중수소의 도입량을 제어할 수 있는 기술을 제공한다. 본 개시의 일 양태에 의한 기판 처리 방법은, 처리 용기 내에 절연막을 표면에 갖는 기판을 수용하는 공정과, 상기 처리 용기 내에 수용된 상기 기판을 제1 온도로 유지한 상태에서 중수소 가스를 포함하는 가스로부터 생성된 플라스마에 상기 절연막을 노출시켜, 상기 절연막에 중수소를 도입하는 공정과, 상기 처리 용기 내에 수용된 상기 기판을 상기 제1 온도와 다른 제2 온도로 제어한 상태에서 상기 절연막을 상기 플라스마에 노출시키는 일 없이 열처리하여, 상기 절연막에 도입된 상기 중수소의 농도를 조정하는 공정을 갖는다.