REACTIVE ANGLED ION BEAM ETCHING SYSTEM AND METHOD OF TREATING SUBSTRATE

반응성 각진 이온 빔 에칭 시스템 및 기판을 처리하는 방법이 제공된다. 시스템은 기판을 지지하도록 구성된 기판 스테이지를 포함할 수 있으며, 여기에서 기판의 메인 표면은 기판 평면을 획정한다. 시스템은, 기판 평면에 대한 수선에 대하여 비-제로(non-zero) 입사각을 획정하는 궤적을 따라 이온 빔을 기판으로 보내도록 배향된 추출 어셈블리를 포함하는 이온 소스를 포함할 수 있다. 시스템은, 기판 평면에 대한 수선에 대하여 비-제로 입사각을 획정하는 궤적을 따라 라디칼 빔을 기판으로 보내도록 배향된 라디칼 소스를 포함할 수 있다....

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: OLSON JOSEPH C, ROWLAND CHRISTOPHER A, BUONODONO JAMES, KURUNCZI PETER F, EVANS MORGAN
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
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