REACTIVE ANGLED ION BEAM ETCHING SYSTEM AND METHOD OF TREATING SUBSTRATE

반응성 각진 이온 빔 에칭 시스템 및 기판을 처리하는 방법이 제공된다. 시스템은 기판을 지지하도록 구성된 기판 스테이지를 포함할 수 있으며, 여기에서 기판의 메인 표면은 기판 평면을 획정한다. 시스템은, 기판 평면에 대한 수선에 대하여 비-제로(non-zero) 입사각을 획정하는 궤적을 따라 이온 빔을 기판으로 보내도록 배향된 추출 어셈블리를 포함하는 이온 소스를 포함할 수 있다. 시스템은, 기판 평면에 대한 수선에 대하여 비-제로 입사각을 획정하는 궤적을 따라 라디칼 빔을 기판으로 보내도록 배향된 라디칼 소스를 포함할 수 있다. 기판 스테이지는, 기판의 메인 표면이 기판 평면 내에 배향되어 있는 동안 기판 평면과 함께 놓인 제 1 방향을 따라 기판을 스캔하도록 추가로 구성될 수 있다. A system may include a substrate stage, configured to support a substrate, where a main surface of the substrate defines a substrate plane. The system may include an ion source, including an extraction assembly that is oriented to direct an ion beam to the substrate along a trajectory defining a non-zero angle of incidence with respect to a perpendicular to the substrate plane. The system may include a radical source oriented to direct a radical beam to the substrate along a trajectory defining the non-zero angle of incidence with respect to a perpendicular to the substrate plane. The substrate stage may be further configured to scan the substrate along a first direction, lying with the substrate plane, while the main surface of the substrate is oriented within the substrate plane.