PLANARIZATION SYSTEM AND METHOD

상판을 사용해서 기판 상에 성형가능 재료 막을 형성하기 위한 평탄화 시스템이 제공된다. 상판은 상판이 기판과 함께 적층되는 경우에 성형가능 재료와 접촉하는 제1 측면 및 제1 측면에 대향하는 제2 측면을 갖는다. 평탄화 시스템은 상판의 제2 측면에 있는 제1 전도성 부분과 기판의 측면에 있는 제2 전도성 부분을 갖는다. 제1 전도성 부분과 제2 전도성 부분의 양자 모두는 상판을 기판 상의 성형가능 재료로부터 분리하는 분리 공정 중에 접지된다. A planarization apparatus comprising a superstrate...

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1. Verfasser: KHUSNATDINOV NIYAZ
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:상판을 사용해서 기판 상에 성형가능 재료 막을 형성하기 위한 평탄화 시스템이 제공된다. 상판은 상판이 기판과 함께 적층되는 경우에 성형가능 재료와 접촉하는 제1 측면 및 제1 측면에 대향하는 제2 측면을 갖는다. 평탄화 시스템은 상판의 제2 측면에 있는 제1 전도성 부분과 기판의 측면에 있는 제2 전도성 부분을 갖는다. 제1 전도성 부분과 제2 전도성 부분의 양자 모두는 상판을 기판 상의 성형가능 재료로부터 분리하는 분리 공정 중에 접지된다. A planarization apparatus comprising a superstrate chuck is provided. The superstrate includes a plurality of inner lands protruding from a surface of the superstrate chuck and a peripheral land protruding from the surface of the superstrate chuck along a periphery of the superstrate chuck and encircling the inner lands therein. The peripheral land has a height smaller than a height of each of the inner lands. The peripheral land has a width sufficiently larger than a width of each of the inner lands such that a pressure leakage through the peripheral land is controlled to be less than a threshold.