전자 등급 삼염화붕소의 제조 방법 및 이로 얻은 삼염화붕소

본 발명은 화학적 분리 기술 분야에 관한 것으로, 구체적으로 전자 등급 삼염화붕소의 제조 방법 및 이로 얻은 삼염화붕소에 관한 것이며, 목표 생성물인 삼염화붕소를 생성하기 전에, 먼저 금속 불순물과 염소를 금속 염화물로 생성하는데, 금속과 염소의 반응 온도는 통상적으로 350°C 내지 450°이기 때문에 탄화붕소와 염소가 삼염화붕소를 생성하는 온도보다 낮다. 따라서, 온도 조건을 제어하면 두 종류의 생성물을 별도로 생성할 수 있다. 생성된 금속 염화물은 이미 400°C 내지 450°C의 온도에서 기화되어 미반응한 염소와 함께 배출된다. 금속 불순물을 제거한 후, 다시 탄화붕소와 염소의 반응을 수행하여 목표 생성물인 삼염화붕소를 생성한다. 본 발명은 95% 이상의 제거율로 삼염화붕소의 금속 염화물 불순물을 깊이 제거할 수 있다. 흡착 및 정류를 결합하여 다른 불순물을 효과적으로 제거하면, 얻은 삼염화붕소의 순도는 99.999%에 도달하여 5N 표준을 충족한다. The present disclosure relates to the technical field of chemical separation, in particular to a preparation method of electronic-grade boron trichloride and the boron trichloride obtained by the same. Before the generation of the target product boron trichloride, firstly metal chlorides are generated by allowing metal impurities to react with chlorine, and since a reaction temperature of the metals and the chlorine is usually 350°C to 450°C, which is less than temperature at which the boron trichloride is generated by allowing boron carbideto react with the chlorine, two products can be generated separately under a temperature control condition. The generated metal chlorides have been vaporized at 400°C to 450°C, and are exhausted along with unreacted chlorine. After the metal impurities are removed, reaction between the boron carbide and the chlorine is performed, to generate the target product boron trichloride. According to the present disclosure, the metal chloride impurities can be deeply removed from the boron trichloride, and a removal rate reaches 95% or above. Other impurities are effectively removed through the combination of adsorption and rectification, and purity of the obtained boron trichloride reaches 99.999%, which meets 5N standards.