연마 방법 및 반도체 기판의 제조 방법, 그리고 연마용조성물 세트

본 발명은 연마 후의 기판의 표면 결함을 저감할 수 있는 수단을 제공한다. 본 발명은 기판의 연마 방법이며, 상기 연마 방법은, 연마 공정을 포함하고, 상기 연마 공정은, 상기 기판과, 연마 정반에 설치된 연마 패드의 접촉면에 연마용 조성물을 공급하면서, 상기 연마 정반을 회전시킴으로써 상기 기판을 연마하는, 2 이상의 연마단을 포함하고, 상기 2 이상의 연마단은, 연마 정반 상에서 연마용 조성물 S1을 사용하여 연마하는 연마단 1과, 상기 연마단 1 후, 상기 연마단 1과 동일한 연마 정반 상에서 연마용 조성물 S2를 사용하여 연마하는 연마단 2를 포함하고, 상기 연마용 조성물 S1은, 지립 1과, 물과, 지립 흡착 파라미터가 5 이상인 수용성 고분자를 함유하고, 상기 연마용 조성물 S2는, 지립 2와, 물과, 상기 지립 흡착 파라미터가 5 미만인 수용성 고분자를 함유하고, 또한, 상기 지립 흡착 파라미터가 5 이상인 수용성 고분자를 0.005질량％ 이상의 함유량으로 함유하지 않는, 연마 방법에 관한 것이다. The present invention provides means capable of reducing surface defects on a polished substrate. The present invention relates to a method for polishing a substrate, in which the polishing method includes a polishing step, the polishing step includes two or more polishing sub-steps of polishing the substrate by rotating a platen while supplying a polishing composition to a contact surface between the substrate and a polishing pad attached to the platen, the two or more polishing sub-steps include a polishing sub-step 1 of performing polishing on the platen using a polishing composition S1, and a polishing sub-step 2 of performing, after the polishing sub-step 1, polishing on the platen used in the polishing sub-step 1 using a polishing composition S2, the polishing composition S1 contains an abrasive 1, water, and a water-soluble polymer having an abrasive adsorption parameter of 5 or more, and the polishing composition S2 contains an abrasive 2, water, and a water-soluble polymer having the abrasive adsorption parameter less than 5, but does not contain a water-soluble polymer having the abrasive adsorption parameter of 5 or more in a content of 0.005% by mass or more.