기판을 프로세싱하기 위한 방법들 및 장치

기판을 프로세싱하기 위한 방법들 및 장치가 본원에서 제공된다. 예를 들면, 기판을 프로세싱하기 위한 방법은, 가스 공급부로부터 프로세싱 챔버의 프로세싱 볼륨 안으로 기화된 실리콘 함유 프리커서를 공급하는 것, 가스 공급부로부터 프로세싱 볼륨 안으로 제1 프로세스 가스를 공급하는 것, 기화된 실리콘 함유 프리커서와 반응하도록 제1 듀티 사이클로 RF 소스 전력을 사용하여 제1 프로세스 가스를 에너자이징하는 것, 및 기판 지지체 상에서 지지되는 기판 상으로 SiHx 막을 증착하기 위해, 제1 듀티 사이클과는 상이한 제2 듀티 사이클로,...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	CITLA BHARGAV SRIDHAR, NEMANI SRINIVAS D, RUBNITZ JOSHUA ALAN, CHEN ERICA, ASRANI SOHAM SUNJAY, YIEH ELLIE, BEKIARIS NIKOLAOS, TANNOS JETHRO, BUCHBERGER JR. DOUGLAS ARTHUR
Format:	Patent
Sprache:	kor
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY SEMICONDUCTOR DEVICES SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
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