기판을 프로세싱하기 위한 방법들 및 장치

기판을 프로세싱하기 위한 방법들 및 장치가 본원에서 제공된다. 예를 들면, 기판을 프로세싱하기 위한 방법은, 가스 공급부로부터 프로세싱 챔버의 프로세싱 볼륨 안으로 기화된 실리콘 함유 프리커서를 공급하는 것, 가스 공급부로부터 프로세싱 볼륨 안으로 제1 프로세스 가스를 공급하는 것, 기화된 실리콘 함유 프리커서와 반응하도록 제1 듀티 사이클로 RF 소스 전력을 사용하여 제1 프로세스 가스를 에너자이징하는 것, 및 기판 지지체 상에서 지지되는 기판 상으로 SiHx 막을 증착하기 위해, 제1 듀티 사이클과는 상이한 제2 듀티 사이클로, 프로세싱 볼륨 내에 배치된 기판 지지체에 RF 바이어스 전력을 제공하면서 가스 공급부로부터 프로세스 가스 혼합물을 공급하는 것을 포함한다. Methods and apparatus for processing a substrate are provided herein. For example, a method for processing a substrate comprises supplying a vaporized silicon containing precursor from a gas supply into a processing volume of a processing chamber, supplying a first process gas from the gas supply into the processing volume, energizing the first process gas using RF source power at a first duty cycle to react with the vaporized silicon containing precursor, and supplying a process gas mixture from the gas supply while providing RF bias power at a second duty cycle different from the first duty cycle to a substrate support disposed in the processing volume to deposit a SiHx film onto a substrate supported on the substrate support.