pcLED를 위한 얇고 조밀한 파장 변환 구조체

본 명세서는 파장 변환 구조체가 높은 패킹 밀도로 투명 기판 상에 배치된 인광체 입자들의 하나 이상의 층을 포함하는 pcLED를 개시한다. 입자들은 인광체 입자 층들을 기계적으로 안정화시키고 인광체 입자들 사이에 열 전도성 연결을 제공하는 무기 비흡수성 층으로 코팅된다. 파장 변환 구조체는 다이의 발광 표면을 인광체 입자 층들에 본딩하는 얇은 글루 층에 의해, 파장 변환 구조체의 투명 기판이 다이로부터 멀어지는 방향을 향하도록 반도체 LED 다이에 부착된다. 이러한 pcLED를 제조하기 위한 방법이 또한 개시된다. This specification discloses pcLEDs in which the wavelength converting structure comprises one or more layers of phosphor particles disposed on a transparent substrate at high packing density. The particles are coated with an inorganic non-absorbing layer which mechanically stabilizes the phosphor particle layers and provides a thermally conductive connection between the phosphor particles. The wavelength converting structure is attached to a semiconductor LED die with the transparent substrate of the wavelength converting structure facing away from the die by a thin glue layer that bonds a light emitting surface of the die to the phosphor particle layers. Methods for fabricating such pcLEDs are also disclosed.