INTEGRATED CIRCUIT DEVICES INCLUDING METAL STRUCTURES HAVING A CURVED INTERFACE AND METHODS OF FORMING THE SAME

A method for forming an integrated circuit device according to embodiments includes the steps of providing an underlying structure including a substrate and a first insulating layer and forming a first metal structure, a first adhesion pattern, and a second insulating layer on the first insulating layer. The second insulating layer may be on a side surface of the first metal structure, the first metal structure may include a metal pattern and a second adhesion pattern between the first insulating layer and the metal pattern, and the first adhesion pattern may contact side surfaces of the metal pattern and the second adhesion pattern. The method may also include a step of forming a second metal structure on the first metal structure and the second insulating layer. The metal pattern of the first metal structure may include a contact portion protruding upwardly beyond an upper surface of the second insulating layer and contacting the second metal structure or may include an upper surface recessed with respect to the upper surface of the second insulating layer. 일부 실시예들에 따라, 집적회로 소자를 형성하는 방법은 기판 및 제1 절연 층을 포함하는 기반 구조를 제공하는 단계 및 상기 제1 절연 층 상에 제1 금속 구조, 제1 접착 패턴, 및 제2 절연 층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 제2 절연 층은 상기 제1 금속 구조의 측면 상에 위치할 수 있고, 상기 제1 금속 구조는 금속 패턴 및 상기 제1 절연 층과 상기 금속 패턴 사이에 위치하는 제2 접착 패턴을 포함할 수 있고, 및 상기 제1 접착 패턴은 상기 금속 패턴의 측면과 상기 제2 접착 패턴의 측면 모두에 접촉할 수 있다. 상기 방법은 또한 상기 제1 금속 구조와 상기 제2 절연 층 상에 제2 금속 구조를 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 제1 금속 구조의 상기 금속 패턴은 상기 제2 절연 층의 상면을 넘어 위를 향해 돌출되고, 상기 제2 금속 구조에 접촉하는 콘택 부분을 포함할 수 있거나, 또는 상기 제1 금속 구조의 상기 금속 패턴은 상기 제2 절연 층의 상면에 대해 리세스된 상면을 포함할 수 있다.