감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 레지스트막, 패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 및 화합물
일반식 (S1)로 나타나는 화합물, 및 산분해성 수지를 함유하는, 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 상기 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물을 이용하여 형성된 레지스트막, 패턴 형성 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법, 및 일반식 (S1)로 나타나는 화합물에 의하여, 패턴의 형성에 이용했을 때에 우수한 형상의 패턴을 얻을 수 있는 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 상기 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물을 이용하여 형성된 레지스트막, 패턴 형성 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법, 및 상기 감활성광선...
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| creator | BEKKI YOSUKE FUJIMAKI NISHIKI GOTO AKIYOSHI KOJIMA MASAFUMI |
| description | 일반식 (S1)로 나타나는 화합물, 및 산분해성 수지를 함유하는, 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 상기 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물을 이용하여 형성된 레지스트막, 패턴 형성 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법, 및 일반식 (S1)로 나타나는 화합물에 의하여, 패턴의 형성에 이용했을 때에 우수한 형상의 패턴을 얻을 수 있는 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 상기 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물을 이용하여 형성된 레지스트막, 패턴 형성 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법, 및 상기 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물에 이용할 수 있는 화합물을 제공한다. JPEGpct00099.jpg44137 Q1~Q5는 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다. 단, Q1~Q5 중 적어도 1개는 일반식 (QR1)로 나타나는 아릴옥시기를 포함하는 치환기를 나타낸다. Lq1은 단결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다. M+은 양이온을 나타낸다. JPEGpct00100.jpg44111 G1~G5는 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다. 단, G1~G5 중 적어도 1개는 에스터기를 포함하는 치환기를 나타낸다. *는 결합 위치를 나타낸다.
Provided are an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition including a compound represented by general formula (S1) and an acid decomposable resin, a resist film formed using the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, a pattern forming method, and an electronic device manufacturing method. Also provided are an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition that includes the compound represented by general formula (S1) and allows patterns with good shapes to be obtained when the composition is used for pattern formation, a resist film formed using the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, a pattern forming method, and an electronic device manufacturing method. Also provided is a compound that can be used for the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition.Q1 to Q5 each independently represent a hydrogen atom or a substituent, provided that at least one of Q1, Q2, Q3, Q4, or Q5 represents a substituent including an aryloxy group represented by general formula (QR1). Lq1 represents a single bond or a divalent linking group. M+ represents a cation.G1 to G5 each independently represent a hydrogen atom or a substituent, provided that at least one of G1, G2, G3, G4, or G5 represents a substituent including an ester group. * represents a bonding position. |
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Provided are an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition including a compound represented by general formula (S1) and an acid decomposable resin, a resist film formed using the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, a pattern forming method, and an electronic device manufacturing method. Also provided are an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition that includes the compound represented by general formula (S1) and allows patterns with good shapes to be obtained when the composition is used for pattern formation, a resist film formed using the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, a pattern forming method, and an electronic device manufacturing method. Also provided is a compound that can be used for the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition.Q1 to Q5 each independently represent a hydrogen atom or a substituent, provided that at least one of Q1, Q2, Q3, Q4, or Q5 represents a substituent including an aryloxy group represented by general formula (QR1). Lq1 represents a single bond or a divalent linking group. M+ represents a cation.G1 to G5 each independently represent a hydrogen atom or a substituent, provided that at least one of G1, G2, G3, G4, or G5 represents a substituent including an ester group. * represents a bonding position.</description><language>kor</language><subject>ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS ; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR ; CHEMISTRY ; CINEMATOGRAPHY ; ELECTROGRAPHY ; HOLOGRAPHY ; MATERIALS THEREFOR ; METALLURGY ; ORGANIC CHEMISTRY ; ORIGINALS THEREFOR ; PHOTOGRAPHY ; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES ; PHYSICS</subject><creationdate>2023</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20231117&DB=EPODOC&CC=KR&NR=20230158040A$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76289</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20231117&DB=EPODOC&CC=KR&NR=20230158040A$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>BEKKI YOSUKE</creatorcontrib><creatorcontrib>FUJIMAKI NISHIKI</creatorcontrib><creatorcontrib>GOTO AKIYOSHI</creatorcontrib><creatorcontrib>KOJIMA MASAFUMI</creatorcontrib><title>감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 레지스트막, 패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 및 화합물</title><description>일반식 (S1)로 나타나는 화합물, 및 산분해성 수지를 함유하는, 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 상기 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물을 이용하여 형성된 레지스트막, 패턴 형성 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법, 및 일반식 (S1)로 나타나는 화합물에 의하여, 패턴의 형성에 이용했을 때에 우수한 형상의 패턴을 얻을 수 있는 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 상기 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물을 이용하여 형성된 레지스트막, 패턴 형성 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법, 및 상기 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물에 이용할 수 있는 화합물을 제공한다. JPEGpct00099.jpg44137 Q1~Q5는 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다. 단, Q1~Q5 중 적어도 1개는 일반식 (QR1)로 나타나는 아릴옥시기를 포함하는 치환기를 나타낸다. Lq1은 단결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다. M+은 양이온을 나타낸다. JPEGpct00100.jpg44111 G1~G5는 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다. 단, G1~G5 중 적어도 1개는 에스터기를 포함하는 치환기를 나타낸다. *는 결합 위치를 나타낸다.
Provided are an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition including a compound represented by general formula (S1) and an acid decomposable resin, a resist film formed using the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, a pattern forming method, and an electronic device manufacturing method. Also provided are an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition that includes the compound represented by general formula (S1) and allows patterns with good shapes to be obtained when the composition is used for pattern formation, a resist film formed using the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, a pattern forming method, and an electronic device manufacturing method. Also provided is a compound that can be used for the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition.Q1 to Q5 each independently represent a hydrogen atom or a substituent, provided that at least one of Q1, Q2, Q3, Q4, or Q5 represents a substituent including an aryloxy group represented by general formula (QR1). Lq1 represents a single bond or a divalent linking group. M+ represents a cation.G1 to G5 each independently represent a hydrogen atom or a substituent, provided that at least one of G1, G2, G3, G4, or G5 represents a substituent including an ester group. * represents a bonding position.</description><subject>ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS</subject><subject>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>CINEMATOGRAPHY</subject><subject>ELECTROGRAPHY</subject><subject>HOLOGRAPHY</subject><subject>MATERIALS THEREFOR</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>ORGANIC CHEMISTRY</subject><subject>ORIGINALS THEREFOR</subject><subject>PHOTOGRAPHY</subject><subject>PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES</subject><subject>PHYSICS</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2023</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZJj2asOEtzPnvGnZ-GrLxDctC4AMhdczJrzumqIAlHm9YeWbpjVQ4TcdM94sb1B4s3ADkPd6zR4dhdcLOoAib7qWvO3a8Xp5p47C254Vb1u2KLydMRVszoaVrzdN1VF4s6DlzbwJCq-nTHm9YcqbuVuAGt7MnQEUngM0C67q9YZ-hbczp7yduhJoNg8Da1piTnEqL5TmZlB2cw1x9tBNLciPTy0uSExOzUstifcOMjIwMjYwNLUwMDFwNCZOFQD1iXsv</recordid><startdate>20231117</startdate><enddate>20231117</enddate><creator>BEKKI YOSUKE</creator><creator>FUJIMAKI NISHIKI</creator><creator>GOTO AKIYOSHI</creator><creator>KOJIMA MASAFUMI</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20231117</creationdate><title>감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 레지스트막, 패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 및 화합물</title><author>BEKKI YOSUKE ; FUJIMAKI NISHIKI ; GOTO AKIYOSHI ; KOJIMA MASAFUMI</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_KR20230158040A3</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>kor</language><creationdate>2023</creationdate><topic>ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS</topic><topic>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>CINEMATOGRAPHY</topic><topic>ELECTROGRAPHY</topic><topic>HOLOGRAPHY</topic><topic>MATERIALS THEREFOR</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>ORGANIC CHEMISTRY</topic><topic>ORIGINALS THEREFOR</topic><topic>PHOTOGRAPHY</topic><topic>PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES</topic><topic>PHYSICS</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>BEKKI YOSUKE</creatorcontrib><creatorcontrib>FUJIMAKI NISHIKI</creatorcontrib><creatorcontrib>GOTO AKIYOSHI</creatorcontrib><creatorcontrib>KOJIMA MASAFUMI</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>BEKKI YOSUKE</au><au>FUJIMAKI NISHIKI</au><au>GOTO AKIYOSHI</au><au>KOJIMA MASAFUMI</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 레지스트막, 패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 및 화합물</title><date>2023-11-17</date><risdate>2023</risdate><abstract>일반식 (S1)로 나타나는 화합물, 및 산분해성 수지를 함유하는, 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 상기 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물을 이용하여 형성된 레지스트막, 패턴 형성 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법, 및 일반식 (S1)로 나타나는 화합물에 의하여, 패턴의 형성에 이용했을 때에 우수한 형상의 패턴을 얻을 수 있는 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 상기 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물을 이용하여 형성된 레지스트막, 패턴 형성 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법, 및 상기 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물에 이용할 수 있는 화합물을 제공한다. JPEGpct00099.jpg44137 Q1~Q5는 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다. 단, Q1~Q5 중 적어도 1개는 일반식 (QR1)로 나타나는 아릴옥시기를 포함하는 치환기를 나타낸다. Lq1은 단결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다. M+은 양이온을 나타낸다. JPEGpct00100.jpg44111 G1~G5는 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다. 단, G1~G5 중 적어도 1개는 에스터기를 포함하는 치환기를 나타낸다. *는 결합 위치를 나타낸다.
Provided are an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition including a compound represented by general formula (S1) and an acid decomposable resin, a resist film formed using the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, a pattern forming method, and an electronic device manufacturing method. Also provided are an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition that includes the compound represented by general formula (S1) and allows patterns with good shapes to be obtained when the composition is used for pattern formation, a resist film formed using the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, a pattern forming method, and an electronic device manufacturing method. Also provided is a compound that can be used for the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition.Q1 to Q5 each independently represent a hydrogen atom or a substituent, provided that at least one of Q1, Q2, Q3, Q4, or Q5 represents a substituent including an aryloxy group represented by general formula (QR1). Lq1 represents a single bond or a divalent linking group. M+ represents a cation.G1 to G5 each independently represent a hydrogen atom or a substituent, provided that at least one of G1, G2, G3, G4, or G5 represents a substituent including an ester group. * represents a bonding position.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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