감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 레지스트막, 패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 및 화합물
일반식 (S1)로 나타나는 화합물, 및 산분해성 수지를 함유하는, 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 상기 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물을 이용하여 형성된 레지스트막, 패턴 형성 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법, 및 일반식 (S1)로 나타나는 화합물에 의하여, 패턴의 형성에 이용했을 때에 우수한 형상의 패턴을 얻을 수 있는 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 상기 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물을 이용하여 형성된 레지스트막, 패턴 형성 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법, 및 상기 감활성광선...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | 일반식 (S1)로 나타나는 화합물, 및 산분해성 수지를 함유하는, 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 상기 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물을 이용하여 형성된 레지스트막, 패턴 형성 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법, 및 일반식 (S1)로 나타나는 화합물에 의하여, 패턴의 형성에 이용했을 때에 우수한 형상의 패턴을 얻을 수 있는 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 상기 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물을 이용하여 형성된 레지스트막, 패턴 형성 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법, 및 상기 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물에 이용할 수 있는 화합물을 제공한다. JPEGpct00099.jpg44137 Q1~Q5는 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다. 단, Q1~Q5 중 적어도 1개는 일반식 (QR1)로 나타나는 아릴옥시기를 포함하는 치환기를 나타낸다. Lq1은 단결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다. M+은 양이온을 나타낸다. JPEGpct00100.jpg44111 G1~G5는 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다. 단, G1~G5 중 적어도 1개는 에스터기를 포함하는 치환기를 나타낸다. *는 결합 위치를 나타낸다.
Provided are an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition including a compound represented by general formula (S1) and an acid decomposable resin, a resist film formed using the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, a pattern forming method, and an electronic device manufacturing method. Also provided are an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition that includes the compound represented by general formula (S1) and allows patterns with good shapes to be obtained when the composition is used for pattern formation, a resist film formed using the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, a pattern forming method, and an electronic device manufacturing method. Also provided is a compound that can be used for the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition.Q1 to Q5 each independently represent a hydrogen atom or a substituent, provided that at least one of Q1, Q2, Q3, Q4, or Q5 represents a substituent including an aryloxy group represented by general formula (QR1). Lq1 represents a single bond or a divalent linking group. M+ represents a cation.G1 to G5 each independently represent a hydrogen atom or a substituent, provided that at least one of G1, G2, G3, G4, or G5 represents a substituent including an ester group. * represents a bonding position. |
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