CHEMICAL MECHANICAL POLISHING METHOD AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Provided are a chemical mechanical polishing method, which is able to improve quality and productivity of a chemical mechanical polishing process, and a method for manufacturing a semiconductor device using the same. The chemical mechanical polishing method is for a target to be polished including a hydrophobic film, and comprises the steps of: polishing the target at a first temperature by using slurry for the chemical mechanical polishing; and removing the slurry for the chemical mechanical polishing from the target at a second temperature which is different from the first temperature. The slurry for the chemical mechanical polishing includes: a polishing particle; a temperature-responsive inhibitor including a temperature-responsive polymer showing a phase-transition between the first temperature and the second temperature; and a deionized water. The temperature-responsive polymer is adsorbed to the hydrophobic film at the first temperature, and is desorbed from the hydrophobic film at the second temperature. 화학적 기계적 연마 공정의 품질 및 생산성을 향상시키는 화학적 기계적 연마 방법 및 그를 이용하는 반도체 소자의 제조 방법이 제공된다. 화학적 기계적 연마 방법은, 소수성막을 포함하는 연마 대상에 대한 화학적 기계적 연마 방법으로, 화학적 기계적 연마용 슬러리를 이용하여, 제1 온도에서 연마 대상을 연마하고, 제1 온도와 다른 제2 온도에서, 연마 대상 상의 화학적 기계적 연마용 슬러리를 제거하는 것을 포함하되, 화학적 기계적 연마용 슬러리는, 연마 입자와, 제1 온도 및 제2 온도 간에 상전이(phase-transition)를 나타내는 온도 감응성 고분자를 포함하는 온도 감응성 억제제와, 탈이온수를 포함하고, 온도 감응성 고분자는, 제1 온도에서 소수성막에 흡착되며 제2 온도에서 소수성막으로부터 탈리된다.