CERAMIC SHOWERHEADS WITH CONDUCTIVE ELECTRODES
예시적인 반도체 처리 챔버 샤워헤드들은, 제1 표면 및 제1 표면 반대쪽의 제2 표면을 특징으로 하는 유전체 판을 포함할 수 있다. 유전체 판에는 유전체 판을 통해 복수의 애퍼쳐들이 형성될 수 있다. 유전체 판은 유전체 판의 제1 표면에 제1 환형 채널을 형성할 수 있고, 제1 환형 채널은 복수의 애퍼쳐들 주위로 연장될 수 있다. 유전체 판은 유전체 판의 제1 표면에 제2 환형 채널을 형성할 수 있다. 제2 환형 채널은 제1 환형 채널로부터 방사상 외측에 형성될 수 있다. 샤워헤드들은 또한, 유전체 판 내에 매립되고 애퍼쳐들에 의해...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; kor |
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Zusammenfassung: | 예시적인 반도체 처리 챔버 샤워헤드들은, 제1 표면 및 제1 표면 반대쪽의 제2 표면을 특징으로 하는 유전체 판을 포함할 수 있다. 유전체 판에는 유전체 판을 통해 복수의 애퍼쳐들이 형성될 수 있다. 유전체 판은 유전체 판의 제1 표면에 제1 환형 채널을 형성할 수 있고, 제1 환형 채널은 복수의 애퍼쳐들 주위로 연장될 수 있다. 유전체 판은 유전체 판의 제1 표면에 제2 환형 채널을 형성할 수 있다. 제2 환형 채널은 제1 환형 채널로부터 방사상 외측에 형성될 수 있다. 샤워헤드들은 또한, 유전체 판 내에 매립되고 애퍼쳐들에 의해 노출되지 않고 복수의 애퍼쳐들 주위로 연장되는 전도성 물질을 포함할 수 있다. 전도성 물질은 제2 환형 채널에서 노출될 수 있다.
Exemplary semiconductor processing chamber showerheads may include a dielectric plate characterized by a first surface and a second surface opposite the first surface. The dielectric plate may define a plurality of apertures through the dielectric plate. The dielectric plate may define a first annular channel in the first surface of the dielectric plate, and the first annular channel may extend about the plurality of apertures. The dielectric plate may define a second annular channel in the first surface of the dielectric plate. The second annular channel may be formed radially outward from the first annular channel. The showerheads may also include a conductive material embedded within the dielectric plate and extending about the plurality of apertures without being exposed by the apertures. The conductive material may be exposed at the second annular channel. |
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