퇴적 반응기의 챔버 내에서 에피택셜층을 가진 반도체 웨이퍼를 생산하기 위한 방법

플랜트(plant)의 퇴적 반응기(deposition reactor)의 챔버 내에서 에피택셜층을 가진 반도체 웨이퍼를 생산하기 위한 방법으로서, 퇴적 반응기의 챔버 내에서 기판 웨이퍼 상에 에피택셜층을 반복적으로 퇴적하여, 에피택셜층을 가진 제1 개수의 반도체 웨이퍼를 생산하는 단계와 동시에 대체 챔버를 퍼지 가스로 퍼지함으로써 플랜트 외부에서 퇴적 반응기의 대체 챔버를 컨디셔닝하는 단계; 기판 웨이퍼 상에 에피택셜층을 반복적으로 퇴적하는 것을 중단하는 단계; 챔버를 대체 챔버로 대체하는 단계; 및 퇴적 반응기의 대체 챔버 내에서 기판 웨이퍼 상에 에피택셜층을 반복적으로 퇴적하는 것을 계속하여, 에피택셜층을 가진 제2 개수의 반도체 웨이퍼를 생산하는 단계를 포함하는, 에피택셜층을 가진 반도체 웨이퍼를 생산하기 위한 방법. A method produces semiconductor wafers in a chamber of a deposition reactor of a plant. The method includes: repeatedly depositing an epitaxial layer on a substrate wafer in the chamber, producing semiconductor wafers, and at the same time: conditioning a replacement chamber outside the plant by purging the replacement chamber with a purge gas; interrupting the deposition of the epitaxial layer; replacing the chamber with the replacement chamber, after the conditioning, the replacement chamber being sealed and transported in a closed state to the plant or after the conditioning, the replacement chamber is transported to the plant and in this process purge gas is passed through the replacement chamber; and continuing the deposition of the epitaxial layer in the replacement chamber, producing a second number of semiconductor wafers.