METHODS OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES

According to an embodiment of the present invention, a manufacturing method of a semiconductor device comprises the following steps of: providing a first precursor onto a substrate to adsorb a first element of the first precursor to a first region of the substrate; providing a second precursor onto the substrate to adsorb a second element of the second precursor to a second region of the substrate that is different from the first region; and providing a reactant including oxygen onto the substrate to form an oxide semiconductor layer including the first element of the first precursor, the second element of the second precursor, and the oxygen of the reactant. 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치의 제조 방법은, 기판 상에 제1 전구체를 제공하여, 상기 기판의 제1 영역에 상기 제1 전구체의 제1 원소를 흡착시키는 단계; 상기 기판 상에 제2 전구체를 제공하여, 상기 제1 영역과 다른 상기 기판의 제2 영역에 상기 제2 전구체의 제2 원소를 흡착시키는 단계; 및 상기 기판 상에 산소를 포함하는 반응물을 제공하여, 상기 제1 전구체의 상기 제1 원소, 상기 제2 전구체의 상기 제2 원소 및 상기 반응물의 상기 산소를 포함하는 산화물 반도체 층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.