SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

The present invention provides a semiconductor memory device and a manufacturing method thereof, which can secure aligning margins and improve operation reliability. The semiconductor memory device comprises: a sub-block insulation film between a first select gate structure and a second select gate structure; a plurality of conductive patterns separated from each other to be stacked on the first and second select gate structures; and a channel structure penetrating the plurality of conductive patterns and one between the first and second select gate structures, and having an inflection point positioned at a level between the sub-block insulation film and the plurality of conductive patterns. 본 기술은 제1 셀렉트 게이트 구조 및 제2 셀렉트 게이트 구조 사이의 서브 블록 절연막, 제1 및 제2 셀렉트 게이트 구조들 상에 서로 이격되어 적층된 복수의 도전패턴들, 및 제1 및 제2 셀렉트 게이트 구조들 중 하나와 복수의 도전패턴들을 관통하되 서브 블록 절연막과 복수의 도전패턴들 사이의 레벨에 위치된 변곡점을 갖는 채널구조를 포함하는 반도체 메모리 장치와 그 제조방법을 포함한다.