픽셀 기판 및 수광 장치

픽셀 기판(100)은 광전 변환 요소(PD)를 포함한다. 광전 변환 요소(PD)는 도핑된 영역(111) 및 기판 영역(112)을 포함한다. 도핑된 영역(111) 및 기판 영역(112)은 pn 접합부(115)를 형성한다. 픽셀 회로(120)는 제1 공급 라인(101) 및 광전 변환 요소(PD)에 전기적으로 연결된다. 보호 회로(130)는 제1 공급 라인(101)과 기판 영역(112) 사이의 전압차가 음의 임계 전압 아래로 떨어질 때 제1 공급 라인(101)과 기판 영역(112)을 단락시키도록 구성된다. A pixel substrate...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: MORADI KHANSHAN TOHID, KAWAZU NAOKI
Format: Patent
Sprache:kor
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:픽셀 기판(100)은 광전 변환 요소(PD)를 포함한다. 광전 변환 요소(PD)는 도핑된 영역(111) 및 기판 영역(112)을 포함한다. 도핑된 영역(111) 및 기판 영역(112)은 pn 접합부(115)를 형성한다. 픽셀 회로(120)는 제1 공급 라인(101) 및 광전 변환 요소(PD)에 전기적으로 연결된다. 보호 회로(130)는 제1 공급 라인(101)과 기판 영역(112) 사이의 전압차가 음의 임계 전압 아래로 떨어질 때 제1 공급 라인(101)과 기판 영역(112)을 단락시키도록 구성된다. A pixel substrate includes a photoelectric conversion element. The photoelectric conversion element includes a doped region and a substrate region. The doped region and the substrate region form a pn junction. A pixel circuit is electrically connected to a first supply line and the photoelectric conversion element. A protection circuit is configured to short-circuit the first supply line and the substrate region when a voltage difference between the first supply line and the substrate region falls below a negative threshold voltage.