이온 밀링 장치

가공 속도 제어성, 가공 프로파일 재현성을 비약적으로 향상시키는 것이 가능해지는 이온 밀링 장치를 제공한다. 진공 챔버(4)에 설치되며, 비집속의 이온 빔(2)을 조사하는 이온 건(1)과, 진공 챔버 내에 배치되며, 시료(6)를 보유 지지하는 시료대(7)와, 이온 빔에 의한 시료의 가공 프로파일을 추정하기 위한 이온 빔 특성을 계측하는 이온 빔 특성 계측 기구와, 제어부(200)를 갖는 이온 밀링 장치에 있어서, 이온 건의 이온화실(18)에 자장을 발생시키는 자장 발생 장치는, 전자 코일(61)과 자로(60)를 구비하는 전자석이며,...

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Hauptverfasser: AIDA SHOTA, TAKASU HISAYUKI, ASAI KENGO
Format: Patent
Sprache:kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:가공 속도 제어성, 가공 프로파일 재현성을 비약적으로 향상시키는 것이 가능해지는 이온 밀링 장치를 제공한다. 진공 챔버(4)에 설치되며, 비집속의 이온 빔(2)을 조사하는 이온 건(1)과, 진공 챔버 내에 배치되며, 시료(6)를 보유 지지하는 시료대(7)와, 이온 빔에 의한 시료의 가공 프로파일을 추정하기 위한 이온 빔 특성을 계측하는 이온 빔 특성 계측 기구와, 제어부(200)를 갖는 이온 밀링 장치에 있어서, 이온 건의 이온화실(18)에 자장을 발생시키는 자장 발생 장치는, 전자 코일(61)과 자로(60)를 구비하는 전자석이며, 제어부는, 전자 코일에 인가하는 전류값을, 이온 빔 특성 계측 기구가 계측한 이온 빔 특성에 기초하여 제어한다. Provided is an ion milling device that can dramatically improve processing speed controllability and processing profile reproducibility. The ion milling device includes: an ion gun attached to a vacuum chamber and configured to emit an unfocused ion beam; a sample stand disposed in the vacuum chamber and configured to hold a sample; an ion beam characteristic measurement mechanism configured to measure an ion beam characteristic for estimating a processing profile of the sample processed by the ion beam; and a control unit. A magnetic field generation device is configured to generate a magnetic field in an ionization chamber of the ion gun and includes an electromagnet including an electromagnetic coil and a magnetic path. The control unit controls a value of a current, which is applied to the electromagnetic coil, based on the ion beam characteristic measured by the ion beam characteristic measurement mechanism.