SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Provided are a semiconductor device capable of efficiently discharging a carrier to an emitter side in case of turn-off and a manufacturing method thereof. In an area of semiconductor substrate SUB located between a trench gate electrode TGE and a trench emitter electrode TEE disposed at a distance from each other, source diffusion layer SDR and base diffusion layer BDR are formed. Recess portion RCS is formed in trench emitter electrode TEE, base diffusion layer BDR, and insulating film EIF, wherein recess portion RCS recedes from a first main surface toward a second main surface. Common contact member CCN protrudes from the first main surface toward the second main surface in a manner that contacts recess portion RCS. 턴오프 시에, 캐리어를 이미터측에 효율적으로 배출할 수 있는 반도체 장치와 그 제조 방법을 제공한다. 서로 거리를 두고 배치된 트렌치 게이트 전극 TGE와 트렌치 이미터 전극 TEE 사이에 위치하는 반도체 기판 SUB의 영역에, 소스 확산층 SDR과 베이스 확산층 BDR이 형성되어 있다. 트렌치 이미터 전극 TEE, 베이스 확산층 BDR 및 절연막 EIF에는, 제1 주면으로부터 제2 주면을 향하여 후퇴한 리세스부 RCS가 형성되어 있다. 공통 콘택트 부재 CCN은, 그 리세스부 RCS에 접촉하는 양태로, 제1 주면으로부터 제2 주면을 향하여 돌출되어 있다.