기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 반도체 장치의 제조방법, 프로그램 및 배기 시스템

배기계가 소정의 상태로 천이해도, 원하는 처리 조건에 가까운 분위기를 구축할 수 있어, 처리 결과의 특성 악화를 억제한다. 처리실 내의 기판에 대하여 제1 가스를 공급하는 제1 가스 공급 라인과, 제1 가스를 배기하는 제1 배기 라인과, 제1 배기 라인에 마련된 제1 밸브와, 처리실 내의 상기 기판에 대하여 제2 가스를 공급하는 제2 가스 공급 라인과, 제2 가스를 배기하는 제2 배기 라인과, 제2 배기 라인에 마련된 제2 밸브와, 제1 배기 라인이 소정의 상태로 천이한 것을 검출했을 때, 제1 가스를, 제2 배기 라인을 통해서 배기하는 제1 라인 변경 처리를 행하도록, 제1 밸브 및 제2 밸브를 제어하는 것이 가능한 제어부를 갖는 기술이 제공된다. There is provided a technique that includes: a first gas supply line configured to supply a first gas to a substrate in a process chamber; a first exhaust line connected to a first pump and exhausting the first gas supplied to the substrate; a first valve installed at the first exhaust line; a second gas supply line configured to supply a second gas to the substrate in the process chamber; a second exhaust line connected to a second pump and exhausting the second gas supplied to the substrate; a second valve installed at the second exhaust line; and a controller capable of controlling the first valve and the second valve, so as to perform a first line change processing of exhausting the first gas supplied to the substrate toward the second pump via the second exhaust line, when determining that the first exhaust line transitioned into a predetermined state.