반도체 제조 장치용 부재

본 발명의 반도체 제조 장치용 부재는, AlN 세라믹 기체의 표면에 웨이퍼 적재용의 돌기가 마련된 것이다. AlN 세라믹 기체 중 돌기가 마련되어 있지 않은 부분은, 표면으로부터 소정 깊이까지의 표층 영역과, 표층 영역보다도 하측의 모재 영역을 갖는다. 소정 거리는 5㎛ 이하이다. 표층 영역의 산소 함유율은, 모재 영역의 산소 함유율보다도 높다. A member for semiconductor manufacturing apparatus of the present invention includes an AlN ceramic subst...

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	OGISO YUSUKE
Format:	Patent
Sprache:	kor
Schlagworte:	ARTIFICIAL STONE BASIC ELECTRIC ELEMENTS CEMENTS CERAMICS CHEMISTRY COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDINGMATERIALS CONCRETE ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY LIME, MAGNESIA METALLURGY REFRACTORIES SEMICONDUCTOR DEVICES SLAG TREATMENT OF NATURAL STONE
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Beschreibung
Zusammenfassung:	본 발명의 반도체 제조 장치용 부재는, AlN 세라믹 기체의 표면에 웨이퍼 적재용의 돌기가 마련된 것이다. AlN 세라믹 기체 중 돌기가 마련되어 있지 않은 부분은, 표면으로부터 소정 깊이까지의 표층 영역과, 표층 영역보다도 하측의 모재 영역을 갖는다. 소정 거리는 5㎛ 이하이다. 표층 영역의 산소 함유율은, 모재 영역의 산소 함유율보다도 높다. A member for semiconductor manufacturing apparatus of the present invention includes an AlN ceramic substrate with a surface provided with projections for wafer placement. At least part of an area, provided with no projection, of the AlN ceramic substrate has a surface layer region from the surface to a predetermined depth, and a base material region below the surface layer region. The predetermined depth is 5 μm or less. The oxygen content rate of the surface layer region is higher than the oxygen content rate of the base material region.