SYSTEMS AND METHODS FOR CONTROLLING VAPOR PHASE PROCESSING

A semiconductor processing device can include a reactor assembly including a reaction chamber sized to receive a substrate therein. An exhaust line is in fluid communication with the reaction chamber and is configured to deliver gases out of the reaction chamber. A valve may be disposed along the exhaust line to regulate the flow of gases along the exhaust line. The control system may be configured to operate in an open loop control mode to control the operation of the valve. Thus, the present invention can ensure high membrane quality and efficiency for time and consumption of reactants. 반도체 처리 장치는 기판을 내부에 수용하도록 크기를 갖는 반응 챔버를 포함하는 반응기 어셈블리를 포함할 수 있다. 배기 라인은 반응 챔버와 유체 연통하고, 반응 챔버 밖으로 가스를 전달하도록 구성된다. 밸브는 배기 라인을 따라 가스의 흐름을 조절하도록 배기 라인을 따라 배치될 수 있다. 제어 시스템은 밸브의 작동을 제어하기 위해 개방 루프 제어 모드에서 작동하도록 구성될 수 있다.