CIRCUIT STRUCTURE AND RELATED METHOD FOR RADIATION RESISTANT MEMORY CELL

Embodiments of the present invention provide a circuit structure for a radiation-resistant memory cell and a related method. The circuit structure may include a first latch having an input node and an output node. A second latch has an input node and an output node, wherein the output node of the second latch is coupled to the input node of the first latch, and the input node of the second latch is coupled to the output node of the first latch. A read/write (R/W) circuit includes a plurality of transistors coupling a word line, a bit line, and an inverted bit line to at least two outputs. One of the at least two outputs is coupled to the input node of the first latch and another of the outputs is coupled to the input node of the second latch. 본 개시의 실시예들은 내방사성 메모리 셀을 제공하기 위한 회로 구조체 및 관련 방법을 제공한다. 회로 구조체가 입력 노드와 출력 노드를 갖는 제1 래치를 포함할 수 있다. 제2 래치는 입력 노드와 출력 노드를 가지는데, 제2 래치의 출력 노드는 제1 래치의 입력 노드에 커플링되고, 제2 래치의 입력 노드는 제1 래치의 출력 노드에 커플링된다. 판독/기입(R/W) 회로는 워드 라인, 비트 라인, 및 적어도 두 개의 출력들에 대한 반전 비트 라인을 커플링하는 복수의 트랜지스터들을 포함한다. 적어도 두 개의 출력들 중 하나는 제1 래치의 입력 노드에 커플링되고 그 출력들 중 다른 하나는 제2 래치의 입력 노드에 커플링된다.