희토류 III족-질화물 N-극성 HEMT

희토류 III족-질화물 N-극성 HEMT

고 전자이동도 트랜지스터(HEMT) 헤테로구조물은, 기판 210; N-극성 채널층 220; 및 기판 및 채널층 사이에 위치하는 N-극성 배리어층 218로서, 배리어층은 희토류 III족-질화물 재료를 포함하는, N-극성 배리어층 218;을 포함한다. 희토류 III족-질화물 재료는 ScAlN일 수 있다. A high electron mobility transistor (HEMT) heterostructure includes a substrate; a N-polar channel layer; and a N-polar barrier lay...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: SCHULTZ BRIAN DOUGLAS, TAHHAN MAHER BISHARA, LOGAN JOHN ANDREW
Format: Patent
Sprache:kor
Schlagworte:
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:고 전자이동도 트랜지스터(HEMT) 헤테로구조물은, 기판 210; N-극성 채널층 220; 및 기판 및 채널층 사이에 위치하는 N-극성 배리어층 218로서, 배리어층은 희토류 III족-질화물 재료를 포함하는, N-극성 배리어층 218;을 포함한다. 희토류 III족-질화물 재료는 ScAlN일 수 있다. A high electron mobility transistor (HEMT) heterostructure includes a substrate; a N-polar channel layer; and a N-polar barrier layer positioned between the substrate and the channel layer, wherein the barrier layer comprises a rare-earth III-nitride material. The rare earth III-nitride material can be ScAlN.