제2 조파 기반의 반도체 다층 구조 측정 방법 및 장치

본 발명은 웨이퍼 전역 측정을 위한 2차 조파 기반 측정 방법 및 장치를 제공한다. 당해 방안은 지정 지점 측정, 스캐닝 측정, 및 지정 지점 측정과 스캐닝 측정의 결합 등 세 가지 방식을 포함한다. 상기 스캐닝 측정 방안은 높은 측정 효율 보장하는 전제 하에서 웨이퍼에 대해 전역 측정을 수행하여 전기적 결함의 위치, 크기, 상대 밀도 분포를 획득함으로써 웨이퍼 이상 지점에 대한 포지셔닝 및 트러블슈팅을 구현할 수 있으며, 이는 이전의 2차 조파 측정 기술에서 구현할 수 없다. 본 발명은 또한 2차 조파 신호를 기술하기 위한 새로운 공식 시스템을 제공하여, 지정 지점 측정, 스캐닝 측정, 및 지정 지점 측정과 스캐닝 측정의 결합 등 세 가지 경우에 실제 측정 결과와 이론 모델이 통일되도록 하고, 제2 조파 측정 기술이 더 이상 정성 분석 방법이 아니라 정량 분석 방법으로 응용될 수 있도록 하며, 효율을 보장하는 전제 하에서 제품 검출의 종합성과 정확성을 향상시키고, 반도체 첨단 제조 공정의 품질 검사 능력을 향상시킨다. A measuring method and device based on the second harmonic for the whole area measurement of a wafer comprises three modes: a fixed-point measurement, a scanning measurement, and a combination of the fixed-point measurement and the scanning measurement. The scanning measurement solution measures the entire wafer under the premise of ensuring high measurement efficiency, obtain the position, size and relative density distribution of electrical defects, and achieve locating and checking of abnormal points on the wafer. A new formula system is provided for describing the second harmonic signal, so that the actual measurement results and the theoretical model are unified under the three modes of the fixed-point measurement, the scanning measurement, and the combination of fixed-point measurement and scanning measurement, so that the second harmonic metrology technology is no longer only a qualitative analysis method, but also a quantitative analysis method.