N EPI LOW TEMPERATRUE N-TYPE CONTACT EPI FORMATION

Semiconductor structures and methods for forming semiconductor structures are described. A method comprises a step of non-selectively depositing an amorphous silicon layer on the top surface and sidewall surfaces of at least one contact trench on a substrate at a temperature of less than or equal to 400 degrees Celsius and a crystalline silicon layer on the bottom surface of the at least one contact trench. The bottom surface includes source/drain materials. The amorphous silicon layer is selectively removed from the top surface and sidewall surfaces at a temperature below 400 degrees Celsius. The method can be performed within a processing chamber without breaking vacuum. 반도체 구조들, 및 반도체 구조를 형성하기 위한 방법들이 설명된다. 방법은 섭씨 400 도 이하의 온도에서 기판 상의 적어도 하나의 콘택 트렌치의 최상부 표면 및 측벽 표면 상에 비정질 실리콘 층을 그리고 적어도 하나의 콘택 트렌치의 최하부 표면 상에 결정질 실리콘 층을 비선택적으로 증착하는 단계를 포함하고, 최하부 표면은 소스/드레인 재료를 포함한다. 비정질 실리콘 층은 섭씨 400 도 이하의 온도에서 최상부 표면 및 측벽 표면으로부터 선택적으로 제거된다. 방법은 진공을 파괴하지 않고서 프로세싱 챔버 내에서 수행될 수 있다.