온도 제어된/전기적으로 바이어싱된 웨이퍼 서라운드

균일한 방식으로 작업물들을 식각하기 위한 시스템 및 방법이 개시된다. 시스템은 리본 이온 빔을 생성하는 반도체 처리 시스템, 및 리본 이온 빔을 통해 작업물을 주사하는 작업물 홀더를 포함한다. 작업물 홀더는 헤일로로 지칭되는, 작업물을 넘어 연장되는 부분을 포함한다. 헤일로는 식각률 불균일성들을 보상하기 위해 독립적으로 가열될 수 있다. 일부 실시예들에서, 헤일로는 그의 전위가, 작업물에 인가되는 전위와 상이하도록 독립적으로 바이어싱될 수 있다. 특정 실시예들에서, 헤일로는, 개별적으로 제어될 수 있는 복수의 열 구역들로 분할될 수 있다. 이러한 방식으로, 헤일로의 다양한 열의 온도 및/또는 전위를 제어함으로써 다양한 식각률 불균일성들이 해결될 수 있다. A system and method for etching workpieces in a uniform manner are disclosed. The system includes a semiconductor processing system that generates a ribbon ion beam, and a workpiece holder that scans the workpiece through the ribbon ion beam. The workpiece holder includes a portion that extends beyond the workpiece, referred to as a halo. The halo may be independently heated to compensate for etch rate non-uniformities. In some embodiments, the halo may be independently biased such that its potential is different from the potential applied to the workpiece. In certain embodiments, the halo may be divided into a plurality of thermal zones that can be separately controlled. In this way, various etch rate non-uniformities may be addressed by controlling the potential and/or temperature of the various thermal zones of the halo.